檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="鄭正元"
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料,表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響,本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓,在表面以微分干涉影像與光致發…
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碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料,然而在晶圓的製造與加工過程當中,容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能,對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響,因此需要晶圓檢測找出並定…